Imagem em destaque do aparelho experimental de efeito magnetoresistivo LEEM-8

Aparelho Experimental de Efeito Magnetorresistivo LEEM-8

Descrição resumida:

Observação: osciloscópio não incluído

O dispositivo possui estrutura simples e conteúdo rico. Ele utiliza dois tipos de sensores: um sensor Hall de GaAs para medir a intensidade da indução magnética e um sensor de magnetoresistência de InSb para estudar a resistência sob diferentes intensidades de indução magnética. Os alunos podem observar o efeito Hall e o efeito de magnetoresistência em semicondutores, que são caracterizados por meio de experimentos de pesquisa e projeto.

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Detalhes do produto

Etiquetas do produto

Experimentos

1. Estude a variação da resistência de um sensor de InSb em função da intensidade do campo magnético aplicado; encontre a fórmula empírica.

2. Trace o gráfico da resistência do sensor InSb em função da intensidade do campo magnético.

3. Estudar as características de corrente alternada de um sensor de InSb sob um campo magnético fraco (efeito de duplicação de frequência).

Especificações

Descrição	Especificações
Fonte de alimentação do sensor de magnetoresistência	0-3 mA ajustável
Voltímetro digital	Faixa de medição: 0-1,999 V; resolução: 1 mV
mili-teslametro digital	Faixa de medição: 0-199,9 mT, resolução: 0,1 mT