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Aparelho experimental de efeito magnetorresistivo LEEM-8

Descrição curta:

Nota: osciloscópio não incluído

O dispositivo possui estrutura simples e conteúdo rico. Utiliza dois tipos de sensores: um sensor Hall de GaAs para medir a intensidade da indução magnética e outro para estudar a resistência do sensor magnetorresistente de InSb sob diferentes intensidades de indução magnética. Os alunos podem observar o efeito Hall e o efeito magnetorresistente de semicondutores, caracterizados por meio de experimentos de pesquisa e design.


Detalhes do produto

Etiquetas de produtos

Experimentos

1. Estude a mudança de resistência de um sensor de InSb em função da intensidade do campo magnético aplicado; encontre a fórmula empírica.

2. Trace a resistência do sensor InSb versus a intensidade do campo magnético.

3. Estude as características de CA de um sensor de InSb sob um campo magnético fraco (efeito de duplicação de frequência).

 

Especificações

Descrição Especificações
Fonte de alimentação do sensor de magneto-resistência 0-3 mA ajustável
Voltímetro digital faixa 0-1,999 V resolução 1 mV
Mili-teslâmetro digital intervalo 0-199,9 mT, resolução 0,1 mT

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