Demonstrador de laser de estado sólido bombeado por diodo LPT-7
Especificações
Laser Semicondutor | |
Potência de saída CW | ≤ 500 mW |
Polarização | TE |
Comprimento de onda central | 808 ± 10 nm |
Faixa de temperatura de operação | 10 ~ 40°C |
Corrente de condução | 0 ~ 500 mA |
Nd: YVO4Cristal | |
Concentração de doping Nd | 0,1 ~ 3 atm% |
Dimensão | 3×3×1mm |
Planicidade | < λ/10 @ 632,8 nm |
Revestimento | AR@1064 nm, R<0,1%;808="" t="">90% |
Cristal KTP | |
Faixa de comprimento de onda transmissivo | 0,35 ~ 4,5 µm |
Coeficiente eletro-óptico | r33=36 pm/V |
Dimensão | 2×2×5 milímetros |
Espelho de saída | |
Diâmetro | Φ 6 mm |
Raio de curvatura | 50 milímetros |
Laser de Alinhamento He-Ne | ≤ 1 mW @ 632,8 nm |
Cartão de visualização IR | Faixa de resposta espectral: 0,7 ~ 1,6 µm |
Óculos de segurança a laser | OD = 4+ para 808 nm e 1064 nm |
Medidor de potência óptica | 2 μW ~ 200 mW, 6 escalas |
LISTA DE PEÇAS
Não. | Descrição | Parâmetro | Quantidade |
1 | Trilho Óptico | com base e tampa contra poeira, fonte de alimentação a laser He-Ne é instalada dentro da base | 1 |
2 | Suporte para Laser He-Ne | com transportadora | 1 |
3 | Abertura de Alinhamento | furo f1 mm com suporte | 1 |
4 | Filtro | abertura f10 mm com portador | 1 |
5 | Espelho de saída | BK7, f6 mm R = 50 mm com suporte e suporte ajustáveis em 4 eixos | 1 |
6 | Cristal KTP | 2 × 2 × 5 mm com suporte e transportador ajustáveis em 2 eixos | 1 |
7 | Nd:YVO4 Cristal | 3 × 3 × 1 mm com suporte e suporte ajustáveis em 2 eixos | 1 |
8 | 808nm LD (diodo laser) | ≤ 500 mW com suporte e suporte ajustáveis em 4 eixos | 1 |
9 | Suporte de cabeça do detector | com transportadora | 1 |
10 | Cartão de Visualização Infravermelho | 750 ~ 1600 nm | 1 |
11 | Tubo Laser He-Ne | 1.5mW@632.8 nm | 1 |
12 | Medidor de potência óptica | 2 μW~200 mW (6 faixas) | 1 |
13 | Cabeça do Detector | com capa e poste | 1 |
14 | Controlador de corrente LD | 0 ~ 500 mA | 1 |
15 | Cabo de alimentação | 3 | |
16 | Manual de instruções | V1.0 | 1 |
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